6月6日，“十四五”國家重點(diǎn)研發(fā)計劃 “面向第三代半導(dǎo)體應(yīng)用的高頻軟磁材料”項(xiàng)目研討會在北京順利召開，安泰科技作為課題四“第三代半導(dǎo)體電源模塊關(guān)鍵技術(shù)集成研究與應(yīng)用”的牽頭單位參加會議并作交流。

本項(xiàng)目由東南大學(xué)牽頭，安泰科技作為從事非晶合金生產(chǎn)技術(shù)研發(fā)與制造的領(lǐng)軍企業(yè)，憑借在該領(lǐng)域的深厚技術(shù)積累和*實(shí)力，牽頭組織實(shí)施課題四的研究內(nèi)容，為項(xiàng)目順利開展提供了堅(jiān)實(shí)支撐。

研討會上，安泰科技非晶制品分公司總經(jīng)理劉天成就第三代半導(dǎo)體電源模塊關(guān)鍵技術(shù)集成研究與應(yīng)用進(jìn)行了詳細(xì)匯報，基于公司開發(fā)的高性能納米晶軟磁合金，課題參研單位順利完成了SiC半導(dǎo)體器件可編程電源和GaN半導(dǎo)體器件充電電源設(shè)計、樣機(jī)制作、第三方性能檢測及應(yīng)用示范，達(dá)到考核指標(biāo)要求。

總體專家組副組長張世超教授、責(zé)任專家王海北教授對項(xiàng)目整體進(jìn)展情況給予高度評價，對安泰科技在項(xiàng)目中取得的成果和做出的貢獻(xiàn)給予充分肯定。專家組認(rèn)為，項(xiàng)目技術(shù)指標(biāo)已提前完成，標(biāo)志著我國在開發(fā)適用于 SiC/GaN 第三代半導(dǎo)體功率電源和高端電感器件的高性能軟磁材料體系及其制備工藝技術(shù)方面取得了重大突破。

未來，安泰科技將繼續(xù)攜手項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)，深入研究材料高頻損耗及磁化作用機(jī)理，致力于實(shí)現(xiàn)新型高性能軟磁材料在 SiC/GaN 第三代半導(dǎo)體高頻電源、高端電感等元器件中的關(guān)鍵技術(shù)集成與示范應(yīng)用，為提升我國相關(guān)高技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)競爭力貢獻(xiàn)力量，持續(xù)鞏固行業(yè)領(lǐng)軍地位，*高頻軟磁材料技術(shù)發(fā)展新潮流。

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